Желая отвлечь аудиторию от слухов о поиске стратегического партнёра в сфере производства чипов, руководство Intel на этой неделе заявило, что успешно использует полученные от ASML литографические системы новейшего поколения для мелкосерийного производства чипов. При помощи технологии High-NA EUV за один квартал компании удалось обработать 30 000 кремниевых пластин.
Литографическое оборудование ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) компания Intel получила ещё в прошлом году, и два экземпляра систем (предположительно, TwinScan EXE:5000) уже настроены на выпуск опытной продукции в достаточных количествах. По словам представителей Intel, новое оборудование позволяет сократить количество технологических этапов при производстве современных чипов и ускорить изготовление передовой продукции. На подготовку к запуску такой технологии у Intel в общей сложности ушло семь лет.
На ранних этапах экспериментов возникали проблемы с надёжностью EUV-систем, но оборудование класса High-NA EUV, по словам ведущего инженера Intel Стива Карсона (Steve Carson), в два раза надёжнее решений предыдущего поколения. Продолжительность производственного цикла сокращается при переходе на оборудование с высокой числовой апертурой. Например, если ранее на обработку кремниевой пластины тратилось три экспозиции и 40 технологических операций, то теперь количество последних удалось сократить менее чем до десяти, а экспозиция требуется всего одна.
Как известно, Intel использовала оборудование класса High-NA EUV в качестве экспериментального при подготовке к выпуску чипов по технологии Intel 18A, но в серийном варианте применять его не будет. Оно должно быть внедрено уже при выпуске чипов по технологии Intel 14A не ранее следующего года. При этом будет использоваться ещё более новое оборудование ASML семейства TwinScan EXE:5200, первые компоненты которого компания должна получить в ближайшие месяцы. Конкурирующая TSMC переход на High-NA EUV осуществит не ранее 2028 года, как ожидают эксперты.